1、曝光即是在紫外光照射下，使干膜和濕膜中的光引發(fā)劑分解成游離基，游離基在引發(fā)光聚合單體進(jìn)行聚合交連反應(yīng)，反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)膠膜，實(shí)現(xiàn)印制電路板的圖像轉(zhuǎn)移。
三、主要技術(shù)參數(shù)：
　1、曝光面積：600×700mm
　2、光源功率：采用2支2kw/2kw光化學(xué)碘鎵燈，功率可轉(zhuǎn)換。
　3、曝光控制：采用時(shí)間定時(shí)補(bǔ)償式控制，  
　4、程序控制：抽失真空，開閉快門，與曝光架進(jìn)出實(shí)行連鎖控制。
5、工作環(huán)境溫度22±2℃
6、整機(jī)功率13kw。
7、電源：AC　380三相四線50Hz。
8、外型尺寸：1960×1270×1800（mm）
9、整機(jī)重量：450kg